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Infineon IPW65R110CFDFKSA1

650V 31.2A 110mΩ@10V, 12.7A 277.8W 4.5V@1.3mA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
$ 3.44
Production
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Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Rochester Electronics
IPW65R110CFDFKSA1
26.660
USD
3,850
3,440
3,240
10h
Microchip USA
IPW65R110CFDFKSA1
213
150
Tube
USD
15,438
15,438
3d
Component Stockers USA
IPW65R110CFDFKSA1
86
USD
7,790
6,600
6,600
6,600
6,600
>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
IPW65R110CFD
2.674
1
Tape & Reel
USD
1,307
1,307
1,307
1,307
1,307
4d
Win Source
2
WS-IPW65R110CFD
39.000
24
USD
1,902
1,636
1,636
11h

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IHS

Datasheet20 páginas14 anos atrás

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
InfineonIPW65R110CFDFKSA1
InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 3.44
$ 3.704
Stock
413,777
153,937
Authorized Distributors
1
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
277.8 W
Input Capacitance
-
3.24 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

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N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Detalhes
STMicroelectronicsSTW36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IPW65R110CFDFKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

650V 31.2A 110mΩ@10V,12.7A 277.8W 4.5V@1.3mA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Semicontronic
MOSFET, N CH, 700V, 31.2A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.09; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Imagens

Augswan
Newark
Farnell
TME
RS
UTSource
Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPW65R110CFD
  • SP000895232