Infineon IPD65R380E6ATMA1

Name: Infineon IPD65R380E6ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD65R380E6ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.79

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPD65R380E6ATMA1	15.000	2500						0,654	11h
Newark		IPD65R380E6ATMA1	1.077	1	Cut Tape	2,500	1,610	1,090	0,801	0,801
Rochester Electronics		IPD65R380E6ATMA1	1.842					0,850	0,705	0,629	9h
DigiKey	3	448-IPD65R380E6ATMA1CT-ND	4.442	1	Cut Tape	2,840	1,821	1,239	0,909	0,909
Arrow Electronics		IPD65R380E6ATMA1	0	2500						0,626

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InfineonIPD65R380E6ATMA1

InfineonIPD65R380C6BTMA1

Price @ 1000

$ 0.79

$ 0.782

Stock

324,808

432,379

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-252-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

Continuous Drain Current (ID)

10.6 A

Threshold Voltage

Rds On Max

380 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

83 W

Input Capacitance

710 pF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-06-08

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

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Descrições

Descrições de Infineon IPD65R380E6ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Mosfet, N-Ch, 650V, 10.6A, To-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.34Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD65R380E6ATMA1

Newark

CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease-of-use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ E6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ E6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3

Infineon

Imagens

TME

Newark

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

IPD65R380E6
SP001117736

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1 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)10.6 A

Drain to Source Resistance380 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Fall Time8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance710 pF

Max Dual Supply Voltage650 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation83 W

Min Breakdown Voltage650 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance380 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation83 W

Rds On Max380 mΩ

Rise Time7 ns

Turn-Off Delay Time57 ns

Turn-On Delay Time10 ns

Fichas técnicas e documentos

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A