Infineon IPD50N04S4L08ATMA1

Name: Infineon IPD50N04S4L08ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50N04S4L08ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.379

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD50N04S4L08ATMA1	22.753	5	Cut Tape		0,865	0,865	0,865	0,865
Arrow Electronics	2	IPD50N04S4L08ATMA1	1.700	1		1,046	1,046	1,046	1,046	1,046
Rutronik		TMOSP10371	12.500	2500						0,258	9h
Rochester Electronics		IPD50N04S4L08ATMA1	58.306					0,358	0,297	0,265	2h
DigiKey	3	IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND	13.324	1	Cut Tape	1,300	0,817	0,538	0,379	0,379

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Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-04-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrições

Descrições de Infineon IPD50N04S4L08ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

40V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N04S4L08ATMA1

Newark

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications

Infineon

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

IPD50N04S4L-08
IPD50N04S4L08
SP000711456

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)50 A

Drain to Source Resistance7.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Fall Time18 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.34 nF

Max Dual Supply Voltage40 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation46 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance10.5 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation46 W

Rds On Max7.3 mΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time11 ns

Turn-On Delay Time4 ns

Fichas técnicas e documentos

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Datasheet9 páginas4 anos atrás

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead

RatingsAEC-Q101

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A