Infineon IPD50N03S2L06ATMA1
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIPD050N03LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIRLR8729TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR3707PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W
Descrições
Descrições de Infineon IPD50N03S2L06ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
30V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 30V, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0051Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD50N03S2L06ATMA1
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.02%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.4 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation136 W
Rds On Max6.4 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade