Infineon IPD30N03S4L14ATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Descrições
Descrições de Infineon IPD30N03S4L14ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
30V, N-Ch, 13.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 30V, 30A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Power Dissipation Pd: 31W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.15%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance980 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.6 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation31 W
Rds On Max13.6 mΩ
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade