Infineon IPB90R340C3ATMA1
Obsolete
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E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
InfineonIPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTB23N80K5
N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de Infineon IPB90R340C3ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N-Ch, 900V, 15A, To-263-3; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(On):0.28Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Dual Supply Voltage900 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance340 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation208 W
Rds On Max340 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade