Infineon IPB60R099CPATMA1
$ 3.512
NRND
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB60R099CPATMA1 | 1.359 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPB60R099CPATMA1 | 1.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP7774 | 1.000 | 1K | 5h | ||||||||
| DigiKey | IPB60R099CPATMA1CT-ND | 2.519 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB60R099CPATMA1 | 103 | 1 |
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$ 3.512
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Stock
734,841
298,754
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
105 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
255 W
255 W
Input Capacitance
-
2.8 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IPB60R099CPATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
255KW 20V 60nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 2.8nF@ 100V D2PAK , 10mm*925cm*4.5mm
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:93A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating50 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation255 W
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)25 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade