Infineon IPB50R299CPATMA1
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Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IPB50R299CPATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
12 A 500 V 0.299 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB50R299 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER;
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.19 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance299 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation104 W
Rds On Max299 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade