Infineon IPB020N10N5ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 176 A, 2 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 2.628
Production

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IPB020N10N5ATMA1.

IHS

Datasheet12 páginashá 0 anos
Datasheet11 páginashá 0 anos

Newark

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-25.91%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IPB020N10N5ATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Peças relacionadas

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
FDB86360 Series 80 V 110 A 1.8 mOhm N-Ch Power Trench Mosfet - D²PAK (TO-263AB)
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

Descrições

Descrições de Infineon IPB020N10N5ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 176 A, 2 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
IPB020N10N5 Series 100 V 2 mOhm 176 A OptiMOSTM5 Power Transistor - PG-TO 263-3
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 100V, 120A, 175Deg C, 375W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB020N10N5ATMA1
OptiMOS™ 5 100 V power MOSFET IPB020N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices, one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPB020N10N5
  • SP001132558