Infineon AUIRFS4310
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$ 3.445
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Authorized Distributors
0
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
7 mΩ
7 mΩ
7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
7.67 nF
7.67 nF
7.67 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
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Descrições
Descrições de Infineon AUIRFS4310 fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Automotive 48V Energy Mgmt; Automotive 48V DC-DC; Automotive 48V Motor Drive; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Exhaust; HV DC-DC Converter
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time78 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.67 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time110 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade