Infineon IPB019N06L3GATMA1
$ 2.06
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPB019N06L3GATMA1 | 7.333 | 14h | |||||||||
| Arrow Electronics | IPB019N06L3GATMA1 | 735 | 1 | |||||||||
| Farnell | IPB019N06L3GATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 14h | |||||||
| Mouser | 726-IPB019N06L3GATMA | 3.322 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IPB019N06L3GATMA1 | 1.429 | 1 | Tape & Reel | 1d |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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$ 2.06
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Stock
1,340,463
537,935
Authorized Distributors
4
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-263
SOT
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
1.7 V
-
Rds On Max
-
2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
250 W
306 W
Input Capacitance
21 nF
9.997 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
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Descrições
Descrições de Infineon IPB019N06L3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 60V, 120A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V;
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.21%
Modelos CAD
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1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance21 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Manufacturer Package IdentifierPG-TO-263-3
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation250 W
Rise Time79 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time131 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade