onsemi FCPF36N60NT
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
onsemiFCP099N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-220
STMicroelectronicsSTF40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Descrições
Descrições de onsemi FCPF36N60NT fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 36 A, 90 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET SM 600V 90MOHM F TO220F
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By utilizing this advanced technology and precise process control, SupreMOS provides world class Rsp, superior switching performance and ruggedness.This SupreMOS MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power, and industrial power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.785 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max90 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time94 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade