Infineon IKW20N60TFKSA1

Name: Infineon IKW20N60TFKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 1.595

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IKW20N60TFKSA1	846	1		3,800	2,470	1,940	1,620	1,620
Arrow Electronics	2	IKW20N60TFKSA1	124	1		1,454	1,454	1,454	1,454	1,454
DigiKey		IKW20N60TFKSA1-ND	773	1	Tube	4,490	4,490	2,482	1,712	1,466
Avnet		IKW20N60TFKSA1	0	240					1,543	1,466	15h
Future Electronics		IKW20N60TFKSA1	0	240	Tube				2,130	2,090

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IHS

Datasheet13 páginas10 anos atrás

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element14 APAC

Farnell

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Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

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Descrições

Descrições de Infineon IKW20N60TFKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

166W 40A 600V FS(Field Stop) TO-247-3-1 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT, N, 600V, 20A, TO-247; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.05V; Power Dissipation Pd: 166W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; Operating Temper

Farnell

IGBT, N, 600V, 20A, TO-247; Transistor Type:IGBT; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:2.05V; Power Dissipation:166W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N; RoHS Compliant: Yes

Newark

Hard-switching 600 V, 20 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Infineon

Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 20 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 600 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1.5 / Emitter Leakage Current nA = 100 / Power Dissipation (Pd) W = 166 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260

Distrelec

Imagens

Rochester Electronics

South Microelectronics

Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

IKW20N60T
IKW20N60T.
SP000054886

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-247

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage600 V

Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V

Element ConfigurationSingle

Max Collector Current40 A

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation166 W

Min Operating Temperature-40 °C

Number of Elements1

Package Quantity240

Power Dissipation166 W

Reverse Recovery Time41 ns

Schedule B8541290080

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Farnell

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A