STMicroelectronics STGW20H60DF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTGW20V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
onsemiHGTG20N60B3
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2V @ 15V 20A 40A 165W 360ns
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STMicroelectronicsSTGWA19NC60HD
STGWA19NC60HD Series 600 V 52 A Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-247
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGW20H60DF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGW20H60DF, IGBT TRANSISTOR, 40 A 600 V, 3-PIN TO-247
IGBT N-Ch 600V 20A High-Speed TO247
RS APAC
晶体管, IGBT, 600V, 40A, 175度 C, 167W;
IGBT, 600V, 40A, 175DEG C, 167W;
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
TO247 IGBT 20A 600V TRENCH GAT
IGBT, SINGLE, 600V, 40A, TO-247; Continuous Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:167W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.13%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation167 W
Reverse Recovery Time90 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant