Infineon FF450R12KE4EHOSA1

Infineon FF450R12KE4EHOSA1 Common Emitter IGBT, 450 A 1200 V, 7-Pin CTI, Panel Mount
$ 115.454
Production
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
34AC148761
3d
NewarkFF450R12KE4EHOSA161
Arrow ElectronicsFF450R12KE4EHOSA1101
Rochester ElectronicsFF450R12KE4EHOSA18
23h
DigiKeyFF450R12KE4EHOSA1-ND151Tray

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon FF450R12KE4EHOSA1.

Infineon

Datasheet1 páginas14 anos atrás

IHS

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
+19.61%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon FF450R12KE4EHOSA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
InfineonFF450R12KE4EHOSA1
InfineonFF450R12KE4HOSA1
Price @ 1000
$ 115.454
$ 120.21
Stock
226,544
291,435
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
-
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
Max Collector Current
520 A
520 A
Power Dissipation
2.4 kW
2.4 kW
Collector Emitter Saturation Voltage
2.15 V
2.15 V
Reverse Recovery Time
-
-

Cadeia de suprimentos

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Descrições

Descrições de Infineon FF450R12KE4EHOSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Infineon FF450R12KE4EHOSA1 Common Emitter IGBT, 450 A 1200 V, 7-Pin CTI, Panel Mount
TodayComponents
62 mm C-series 1200 V, 450 A IGBT module with emitter controlled HE diode and fast TRENCHSTOP™ IGBT4.
Infineon
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 520A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 520A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.75V; Power Dissipation Pd: 2.4kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transis
Farnell
Igbt Mod, N-Ch, 1.2Kv, 520A, 2.4Kw; Continuous Collector Current:520A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.75V; Power Dissipation:2.4Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FF450R12KE4EHOSA1
Newark

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • FF450R12KE4-E
  • FF450R12KE4_E
  • SP001186148