Infineon BSZ42DN25NS3GATMA1
$ 0.533
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 47Y8009 | 80 | 1 | 14h | ||||||||
| Newark | BSZ42DN25NS3GATMA1 | 80 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSZ42DN25NS3GATMA1 | 5.000 | 5K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | BSZ42DN25NS3GATMA1 | 54.680 | 12h | |||||||||
| DigiKey | BSZ42DN25NS3GATMA1CT-ND | 9.078 | 1 | Cut Tape |
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
InfineonIPD5N25S3430ATMA1
250V, N-Ch, 430 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
VishayIRFR224TRLPBF
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Descrições
Descrições de Infineon BSZ42DN25NS3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
33.8W 20V 2V 4.2nC@ 10V 1N 250V 425m¦¸@ 10V 5A 320pF@ 100V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON T/R
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
Infineon's 250V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.55%
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Resistance425 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance320 pF
Max Dual Supply Voltage250 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33.8 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance425 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation33.8 W
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade