onsemi FQD7N20LTM
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FQD7N20LTM | 92 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FQD7N20LTM | 1.750 | 883 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQD7N20LTM | 1.750 | 22h | |||||||||
| DigiKey | FQD7N20LTMCT-ND | 10.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FQD7N20LTM | 0 | 100 | Bulk |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-01-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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STMicroelectronicsSTD8NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Descrições
Descrições de onsemi FQD7N20LTM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 5.5 A, 750 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Avnet Japan
TAPE REEL/N-CH/LL/200V/5.5A/0.75OHM@VGS=10V/0.78OHM@VGS=5V
MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.5A, 150度 C, 45W;
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
2.5W(Ta),45W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 9nC@ 5 V 1N 200V 750m¦¸@ 2.75A,10V 5.5A 500pF@25V TO-252AA 6.73mm*6.22mm*2.39mm
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade