Infineon BSZ0901NSATMA1
$ 0.439
NRND
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BSZ0901NSATMA1 | 4.066 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | BSZ0901NSATMA1 | 2.947 | 22h | |||||||||
| DigiKey | BSZ0901NSATMA1CT-ND | 1.012 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | BSZ0901NSATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSZ0901NSATMA1 | 0 | 5K | Tape & Reel |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
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Single N-Channel 30 V 12.4 mOhm 5.4 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
Descrições
Descrições de Infineon BSZ0901NSATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
2.1W 20V 2.2V 45nC 1N 30V 2m¦¸@ 10V 40A 2.85nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1mm
22 A 30 V 0.0026 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
MOSFET 30V 22A N-CH PG-TSDSON-8
BSZ0901NS Infineon Technologies
BSZ0901 - 12V-300V N-CHANNEL POW
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 50W; Transistor Case Style: TSDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendência de 3 meses: -0.86%
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.85 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation50 W
Rise Time7.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade