Infineon BSS126H6906XTSA1
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
21 mA
21 mA
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
700 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
500 mW
360 mW
Input Capacitance
-
21 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
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BSS84P Series 60 V 8 Ohm P-Channel SIPMOS® Small-Signal-Transistor - SOT-23-3
Descrições
Descrições de Infineon BSS126H6906XTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Surface Mount
500mW 20V 2.7V 1.4nC@ 5V 1N 600V 500¦¸@ 10V 21mA 21pF@ 25V SOT-23 , 2.9mm*1.3mm*1.1mm
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:21Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:500Mw; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon BSS126H6906XTSA1.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance500 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation500 mW
Rise Time9.7 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6.1 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade