Infineon BSC670N25NSFDATMA1
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Obsolete
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Price @ 1000
$ 1.548
$ 0.902
Stock
1,412,173
170,601
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
-
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
150 W
-
Input Capacitance
-
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-12-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-05-31
LTD Date2025-11-30
Descrições
Descrições de Infineon BSC670N25NSFDATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 / N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
BSC670N25NSFD Series 250 V 67 mOhm OptiMOSTM3 Power-Transistor PG-TDSON-8
OptiMOS™ Fast Diode (FD) 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.
Mosfet, N-Ch, 250V, 24A, 175Deg C, 150W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:24A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC670N25NSFDATMA1
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +17.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance67 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance67 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade