Infineon BSC160N15NS5ATMA1

150V 56A 96W 16mΩ@10V, 28A 4.6V@60uA N Channel TDSON-8(5.9x5.2) MOSFETs ROHS
$ 1.289
Production
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BSC160N15NS5ATMA112.9005Cut Tape
Future Electronics
2
BSC160N15NS5ATMA110.0005KTape & Reel
RutronikTMOS171345.0005K
23h
Rochester ElectronicsBSC160N15NS5ATMA14.023
15h
Arrow Electronics
3
BSC160N15NS5ATMA124.8471

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
InfineonBSC160N15NS5ATMA1
InfineonBSC190N15NS3GATMA1
InfineonBSC190N15NS3GATMA1
Price @ 1000
$ 1.289
$ 1.096
$ 1.096
Stock
1,314,949
1,747,107
1,747,107
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
-
3 V
3 V
Rds On Max
-
19 mΩ
19 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
125 W
125 W
Input Capacitance
1.37 nF
1.82 nF
1.82 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Descrições

Descrições de Infineon BSC160N15NS5ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

150V 56A 96W 16mΩ@10V,28A 4.6V@60uA N Channel TDSON-8(5.9x5.2) MOSFETs ROHS
HQonline
Trans MOSFET N-CH 150V 36A 8-Pin TDSON EP
Avnet
96KW 20V 4.6V 19nC@ 10V 1N 150V 16m¦¸@ 10V 56A 1.37nF@ 75V TDSON-8
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Infineon MOSFET BSC160N15NS5ATMA1
RS APAC
MOSFET FDMS86200 N 0.018R 150V 35A
Component Sense
MOSFET, N-CH, 150V, 56A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0137ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.8V;
element14 APAC
The new OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Infineon

Imagens

Augswan
LZChips
UTSource
RS
element14 APAC

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • BSC160N15NS5
  • SP001181422