Infineon BSC018NE2LSATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 176 A, 2 MilliOhms, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
InfineonBSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Descrições
Descrições de Infineon BSC018NE2LSATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON T/R
Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
Mosfet, N-Ch, 25V, 100A, Tdson Rohs Compliant: Yes
29 A 25 V 0.0023 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFET 25V 100A 1.8mOHM SSO8 RoHSconf
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON "N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1"
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W 20V 2V 39nC 1individualNChannel 25V 1.8mΩ@ 10V 100A 2.8nF@ 12V SON SMD mount，glue mount 5.9mm*5.15mm*1.27mm
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
MOSFET, N CH, 25V, 153A, TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Po
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade