Infineon BSC016N03LSGATMA1

Mosfet N-ch 30V 100A TDSON8 / Trans Mosfet N-ch 30V 100A Automotive 8-PIN Tdson Ep T/r
$ 0.796
Obsolete
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Rochester ElectronicsBSC016N03LSGATMA136.502
10h
FarnellBSC016N03LSGATMA101
10h
Mouser
2
726-BSC016N03LSG2.8871Tape & Reel
Component Stockers USABSC016N03LSGATMA115.175
7d
Win Source
2
WS-BSC016N03LS G22.70045
11h

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IHS

Datasheet10 páginas15 anos atrás

Farnell

_legacy Avnet

Burklin Elektronik

iiiC

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

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Descrições

Descrições de Infineon BSC016N03LSGATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 / Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source
MOSFET N-CH 30V 100A 125W TDSON-8 Pb-Free
ACDS
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
PFET, 32A I(D), 30V, 0.0023OHM,
DigiKey
2.5W(Ta),125W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 131nC@ 10 V 1N 30V 1.6m¦¸@ 30A,10V 100A 10nF@15V TDSON-8 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Dasenic
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Imagens

Farnell
Augswan
TME
LZChips
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • BSC016N03LS G
  • BSC016N03LSG
  • BSC016N03LSGATMA1.
  • SP000237663