Infineon BCR133E6327HTSA1
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BCR133E6327HTSA1 | 27.000 | 14h | |||||||||
| Newark | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 39K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 39K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 39K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
130 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
30
35
35
Power Dissipation
200 mW
246 mW
246 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-12-31
LTD Date2020-12-31
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Diodes Inc.BC846B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de Infineon BCR133E6327HTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
BCR133 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) / Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Rf Trans, Npn, 50V, 0.1A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BCR133E6327HTSA1
Digital Transistor NPN 100mA 10K SOT23
RS APAC
BRT Transistor, 50V, 10K/10K, SOT-23-3; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm;
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min30
Input Resistance10 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade