Infineon BC859CE6327HTSA1
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EOL
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BC859CE6327HTSA1 | 410.460 | 1d | |||||||||
| DigiKey | BC859CE6327HTSA1CT-ND | 11 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BC859CE6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BC859CE6327HTSA1 | 0 | 45K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | BC859CE6327HTSA1 | 0 | 45K |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1984-10-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-10-15
LTD Date2016-10-15
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC858A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de Infineon BC859CE6327HTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
PNP Bipolar Transistor, SOT23, RoHS
Infineon SCT
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 30 / DC Current Gain (hFE) = 420 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 30 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 250 / Power Dissipation (Pd) mW = 330 / Package Type = SC-59 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 850
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation330 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.1 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade