Infineon BAV199E6327HTSA1
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BAV199E6327HTSA1 | 22 | 1 | |||||||||
| Avnet | BAV199E6327HTSA1 | 0 | 3K | 22h | ||||||||
| Future Electronics | BAV199E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Farnell | BAV199E6327HTSA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Microchip USA | BAV199E6327HTSA1 | 2.505 | 3500 | 4d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Stock
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36,594,710
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Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Forward Voltage
900 mV
1.25 V
1.25 V
Reverse Voltage (DC)
-
-
-
Average Rectified Current
200 mA
215 mA
215 mA
Max Reverse Leakage Current
5 nA
-
-
Reverse Recovery Time
1.5 µs
3 µs
3 µs
Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date1997-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2019-12-31
LTD Date2020-12-31
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMBD7000HC-7-F
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
Descrições
Descrições de Infineon BAV199E6327HTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
BAV199 Series 85 V 200 mA SMT Silicon Low Leakage Diode Array - SOT-23-3
SILICON LOW LEAKAGE DIODE Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon
Rectifier Diodes & Bridges; BAV199E6327HTSA1; INFINEON TECHNOLOGIES; 3; 200 mA; 75 V; 5 nA
Low-leakage applications.Medium speed switching times.Series pair configuration.Pb-free (RoHS compliant) package1).Qualified according AEC Q101
DIODE, DUAL, LOW LEAKAGE, SOT-23; Diode Type:Small Signal; Forward Current If(AV):200mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:75V; Forward Voltage VF Max:1.1V; Reverse Recovery Time trr Max:3ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4.5A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Breakdown Voltage:70V; Current If @ Vf:50mA; Current Ifsm:4.5A; Current Ir Max:5nA; Forward Current If Max:200mA; Forward Voltage:1.25V; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOT-23; Peak Forward Current:200mA; Power Dissipation Ptot Max:330mW; Reverse Recovery Time trr Typ:0.6µs; SMD Marking:Jys; Termination Type:SMD; Vr Ir Measurement Voltage:70V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight200.998119 mg
Technical
Average Rectified Current200 mA
Breakdown Voltage85 V
Capacitance2 pF
Current2 A
Element ConfigurationDual
Forward Current200 mA
Forward Voltage900 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current200 mA
Max Power Dissipation330 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)75 V
Max Reverse Leakage Current5 nA
Max Reverse Voltage (DC)80 V
Max Surge Current4.5 A
Min Breakdown Voltage85 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Peak Non-Repetitive Surge Current4.5 A
Peak Reverse Current5 nA
Power Rating350 mW
Recovery Time600 ns
Reverse Recovery Time1.5 µs
Reverse Standoff Voltage75 V
Schedule B8541100070
TerminationSMD/SMT
Voltage85 V
Voltage Rating (DC)70 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade