Infineon AUIRL3705ZS
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2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
8 mΩ
8 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
130 W
130 W
130 W
Input Capacitance
2.88 nF
2.88 nF
2.88 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
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InfineonIRF1010ZSPBF
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InfineonIPB80N06S208ATMA2
55V, N-Ch, 7.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon AUIRL3705ZS fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 40 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 55V 86A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
130W(Tc) 16V 3V@ 250¦ÌA 60nC@ 5 V 1N 55V 8m¦¸@ 52A,10V 86A 2.88nF@25V D2PAK 10mm*9.25mm*4.4mm
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,75A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:130W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:16V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time240 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade