Infineon AUIRFR540Z
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2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
35 A
35 A
35 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
28.5 mΩ
28.5 mΩ
28.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
91 W
91 W
91 W
Input Capacitance
1.69 nF
1.69 nF
1.69 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
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Descrições
Descrições de Infineon AUIRFR540Z fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0225ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance22.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.69 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance28.5 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation91 W
Rds On Max28.5 mΩ
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade