Infineon AUIRFR3607
$ 2.52
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRFR3607 | 0 | 75 | Bulk | 1h | |||||||
| Avnet | AUIRFR3607 | 0 | 3K | 12h | ||||||||
| Component Stockers USA | AUIRFR3607 | 18.342 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-AUIRFR3607 | 17.124 | 21 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | AUIRFR3607 | 9.482 | 7 | Tube | 10h |
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$ 0.787
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Stock
121,212
2,222,608
2,222,608
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
56 A
Threshold Voltage
2 V
2 V
2 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.07 nF
3.07 nF
3.07 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Descrições
Descrições de Infineon AUIRFR3607 fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 75V, 56A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.00734ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.07 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time110 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade