Infineon AUIRF7665S2TR1
$ 0.98
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF7665S2TR1 | 0 | 1K | Bulk | 9h | |||||||
| Farnell | AUIRF7665S2TR1 | 0 | 1 | 16h |
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon AUIRF7665S2TR1.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20
Peças relacionadas
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF7665S2TR1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 4.1A 6-Pin Direct-FET SB T/R
N Channel, MOSFET, 100V, 14.4A, DirectFET SB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.051ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V ;RoHS Compliant: Yes
A 100V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SB package rated at 14.4 amperes with optimized gate charge, body diode reverse recovery and internal gate resistance to improve key Class D audio amplifier performance factors su
MOSFET,N CH,100V,77A,DIRECTFET SB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):51mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DirectFET; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:77A; Power Dissipation Pd:30W; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance515 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max62 mΩ
Resistance62 MΩ
Rise Time6.4 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time7.1 ns
Turn-On Delay Time3.8 ns
Dimensions
Height558.8 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon AUIRF7665S2TR1.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade