onsemi FDS3692
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDS3692 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO / Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 4.5A, 60mΩ
N-Channel 100 V 60 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:50A; SMD Marking:FDS3692; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -10.37%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance746 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 MΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade