Infineon AUIRF1010Z
$ 1.04
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF1010Z | 12.418 | 8h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF1010Z | 0 | 450 | Bulk | 1d | |||||||
| Farnell | AUIRF1010Z | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Microchip USA | AUIRF1010Z | 424 | 300 | Bulk | 1d | |||||||
| Verical | AUIRF1010Z | 3.650 | 240 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Price @ 1000
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Stock
93,076
463,054
Authorized Distributors
3
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
94 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
2.84 nF
2.84 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF1010Z fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
AUTOMOTIVE MOSFET 55V, 94A, 7.5 MOHM, 63 NC QG, TO-220
Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 55V, 94A, TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:94A; Power Dissipation Pd:140W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)94 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time150 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.6 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade