Intersil RFP50N06
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Obsolete
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30,220
209,361
Authorized Distributors
1
6
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
-
22 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
Power Dissipation
131 W
131 W
Input Capacitance
-
2.02 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Descrições
Descrições de Intersil RFP50N06 fornecidas pelos seus distribuidores.
50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Intersil possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Intersil também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- INTER
- INTERS
- ISL
- INTERSI
- Intersil Corporation
- INTERSIL CORP
- INTESIL
- INSL
- INTR
- INTERSL
- INTS
- Intersil (Renesas Electronics America)
- Harris Semiconductor
- INTERSIL/HARRIS
- INTRSL
- INTSL
- INERSIL
- HARRIS SEMI
- Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- Intersil(Renesas Electronics)
- INTERSIL CHINA LIMITED
- Intersil / Renesas
- INTERSIL/PBF
- Harris / Intersil
- INTERSIL A RENESAS COMPANY
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation131 W
Min Breakdown Voltage60 V
Number of Elements1
Power Dissipation131 W