onsemi MPSH10
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Stock
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Authorized Distributors
1
1
1
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Max Collector Current
40 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
650 MHz
650 MHz
650 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
60
60
60
Power Dissipation
350 mW
350 mW
350 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi MPSH10 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
NPN Bipolar Small Signal Transistor
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-226AA
NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 mA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight195 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
Gain Bandwidth Product650 MHz
hFE Min60
Max Collector Current40 mA
Max Frequency650 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade