onsemi FJP13009
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78,835
Authorized Distributors
0
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
-
Max Collector Current
12 A
12 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
6
6
Power Dissipation
100 W
100 W
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-05-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
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TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Descrições
Descrições de onsemi FJP13009 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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The FJP13009 is a 700 V, 12 A NPN silicon epitaxial planar transistor. The FJP13009 is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. The FJP13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power dissipation.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min6
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Fichas técnicas e documentos
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