onsemi FDS6812A
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
Peças relacionadas
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Descrições
Descrições de onsemi FDS6812A fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
N-CHANNEL POWER MOSFET
OPERATIONAL AMPLIFIER
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Current Rating6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.082 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance35 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade