onsemi FDS6892AZ
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Peças relacionadas
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Descrições
Descrições de onsemi FDS6892AZ fornecidas pelos seus distribuidores.
1.5V@ 250µA 17nC@ 4.5V 2individualNChannel 20V 18mΩ@ 7.5A,4.5V 1.286nF@10V SOIC-8 SMD mount
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
20V/12V, 18/24MO, NCH, DUAL, SO8, 300A GOX W/ ZENER
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.286 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Fichas técnicas e documentos
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