EPC EPC2012C
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Descrições
Descrições de EPC EPC2012C fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Nomes alternativos do fabricante
EPC possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. EPC também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- EPC Space LLC
- EPC Space
- EPC (VA)
- EFFICIENT POWER CONVERSION
- EPC Semiconductor
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Rds On Max100 mΩ