Diodes Inc. ZXTN25100BFHTA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-05-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTN25100BFHTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
100V 1.25W 100@10mA,2V 3A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1810mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
Bipolar Transistors (BJT); ZXTN25100BFHTA; DIODES; NPN; 100 V; 3 A; 3
ZXTN25100BFH Series 100 V 3 A SMT Medium Power Transistor - SOT-23-3
100V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 VCEO=100V VEBO=7V IC=3A
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:1.25W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)170 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency160 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.81 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation1.81 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade