Diodes Inc. ZXMP6A18KTC
$ 0.557
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | ZXMP6A18KTC | 5.000 | 2500 | |||||||||
| Verical | ZXMP6A18KTC | 5.000 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | ZXMP6A18KTCCT-ND | 6.517 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMP6A18KTC | 1.122 | 1 | 22h | ||||||||
| Avnet | ZXMP6A18KTC | 0 | 2500 | 3d |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 60V DPAK
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMP6A18KTC fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252
Trans MOSFET P-CH 60V 10.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 60V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex PMOS, Vds=60 V, 10.4 A, DPAK (TO-252), , 3
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.4 A
Current Rating-10.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.58 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation10.1 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance55 mΩ
Rise Time5.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time4.6 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade