Diodes Inc. ZXMN6A25KTC
$ 0.53
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | ZXMN6A25KTC | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | ZXMN6A25KTC | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 31-ZXMN6A25KTCCT-ND | 1.089 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN6A25KTC | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Avnet | ZXMN6A25KTC | 0 | 2500 | 2d |
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Diodes Inc.ZXMP6A16KTC
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Diodes Inc.DMN6068LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 68 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
onsemiHUF76407D3S
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMN6A25KTC fornecidas pelos seus distribuidores.
ZXMN6A25K Series N-Channel 60 V 0.05 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 60V 10.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 10.7 A, DPAK (TO-252), , 3
MOSFET N-CHANNEL 60V 10.7A DPAK
MOSFET, N, 60V, D-PAK; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:60V; Current, Id cont:10.7A; Resistance, Rds on:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:3V; Case style:D-PAK (TO-252); Termination Type:SMD; Transistor polarity:N
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.063 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.11 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.11 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time26.2 ns
Turn-On Delay Time3.8 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade