Diodes Inc. ZXMP4A16KTC
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | ZXMP4A16KTC | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | ZXMP4A16KTCCT-ND | 18.059 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXMP4A16KTC | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXMP4A16KTC | 0 | 2500 | 17h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMP4A16KTC | 0 | 5 | Bulk | 8h |
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Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP4051LK3-13
P Channel 40 V 51 mO 8.9 W 14 nC Surface Mount Power MosFet - TO-252 (DPAK)
Diodes Inc.DMN4036LK3-13
Mosfet, N-Ch, 40V, 8.5A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4036LK3-13
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMP4A16KTC fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 40 V 0.06 Ohm Enhancement Mode MOSFET - TO-252
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 40V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 40V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex PMOS, Vds=40 V, 9.9 A, DPAK (TO-252), , 3
MOSFET P-CHANNEL 40V 9.9A DPAK
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating-9.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance965 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation9.5 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36.8 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade