Diodes Inc. DMP4051LK3-13
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP4051LK3-13 | 3.169 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMP4051LK3-13 | 10.000 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMP4051LK3-13 | 10.000 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMP4051LK3-13DICT-ND | 20.055 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP4051LK3-13 | 1.526 | 1 | 16h |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | Baixar | |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMP4051LK3-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
P Channel 40 V 51 mO 8.9 W 14 nC Surface Mount Power MosFet - TO-252 (DPAK)
MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK / Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 40V, 0.051ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, P-CH, -40V, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.2A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance51 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance674 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.9 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.18 W
Rds On Max51 mΩ
Resistance51 mΩ
Rise Time14.1 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time25.1 ns
Turn-On Delay Time2.3 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7 mm
Width6.2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade