Diodes Inc. ZVN4206AVSTZ
$ 0.406
Production
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Tendência de 3 meses: -4.10%
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. ZVN4206AVSTZ.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZVN4206ASTZ
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.6A, E-Line Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVN4206ASTZ
onsemi2N7000-D75Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
onsemi2N7000-D74Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZVN4206AVSTZ fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.6A, E-Line Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVN4206AVSTZ
N-Channel 60 V 1 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET - TO-92
Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A Automotive 3-Pin E-Line T/R
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 600 mA, TO-92, , 3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.10%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation700 mW
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade