Diodes Inc. ZTX851

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.58
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
66K6783491
6d
NewarkZTX851491
DigiKeyZTX851-ND3.5351Bulk
TME
2
ZTX85101
15h
RS (Formerly Allied Electronics)ZTX85105Bulk
6h

Fichas técnicas e documentos

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Newark

Datasheet3 páginas19 anos atrás
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IHS

TME

Diodes Inc SCT

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Diodes Inc.ZTX851
Diodes Inc.ZTX851STZ
Price @ 1000
$ 0.58
$ 0.572
Stock
502,832
186,375
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-226-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
5 A
5 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
25
25
Power Dissipation
1.2 W
1.2 W

Cadeia de suprimentos

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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onsemiKSD1616AGBU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200
Detalhes
onsemiKSD1616GBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 750mW 160MHz
Detalhes
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Detalhes

Descrições

Descrições de Diodes Inc. ZTX851 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
ZTX851 Series NPN 5 A 60 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
Future Electronics
TRANSISTOR NPN 60V 5000MA TO92-3
DigiKey
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ, ft:130MHz; Power Dissipation, Pd:1.2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain Max (hfe):200 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANSISTOR, NPN E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:5A; Current Ic @ Vce Sat:5A; Current Ic Continuous a Max:5A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Ptot Max:1.2W; Pulsed Current Icm:20A; Transistor Type:Power Bipolar; Voltage Vcbo:150V
element14 APAC

Imagens

Farnell
TME
Future Electronics
Conrad

Nomes alternativos do fabricante

Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • ZTX851.