Diodes Inc. ZTX758
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Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
400 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
50
40
Power Dissipation
1 W
1 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Peças relacionadas
onsemiKSA1625KBU
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 50mA 5V 1muA ICBO 750mW 10MHz
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZTX758 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ZTX758 Series PNP 1.5 W 400 V 0.5 mA Through Hole Power Transistor - TO-92
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1500mW 3-Pin E-Line Box
POWER TRANSISTOR, PNP, -400V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ, ft:50MHz; Power Dissipation, Pd:1W; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain Max (hfe):50 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, PNP, E-LINE; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:50; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:900mV; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic @ Vce Sat:100mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:200mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:2W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:400V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Continuous Collector Current-500 mA
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min50
Max Collector Current500 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Manufacturer Package IdentifierE-Line
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-400 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade