Diodes Inc. MMBT3906LP-7
$ 0.123
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.71%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. MMBT3906LP-7.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Diodes Inc. MMBT3906LP-7 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.123
$ 0.032
$ 0.032
Stock
1,767,831
23,982,967
23,982,967
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DFN
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-40 V
-40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
1 W
225 mW
225 mW
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMBT3906FA-7B
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA144ELP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DSS3540M-7B
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. MMBT3906LP-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
MMBT39 Series PNP 1000 mW 40 V 200 mA SMT Small Signal Transistor - DFN-3
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
General Purpose Transistors PNP Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=250mW X1-DFN1006-3
Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:200mA; Power Dissipation:1W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:300MHz; DC Current Gain hFE Min:30hFE RoHS Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.71%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Manufacturer Package IdentifierMMBT3906LP-7
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency300 MHz
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. MMBT3906LP-7.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade