Diodes Inc. MMBT3904LP-7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MMBT3904LP-7 | 54 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | MMBT3904LP-7 | 293 | 1 | 2h | ||||||||
| Future Electronics | MMBT3904LP-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MMBT3904LP-7 | 0 | 3K | 6h | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBT3904LP-7 | 0 | 3K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Stock
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2,468,013
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
DFN
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
Power Dissipation
1 W
1 W
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Surface Mount
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. MMBT3904LP-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
300mV@ 5mA,50mA NPN 1W 6V 50nA 60V 40V 200mA 3000,DFN-1006-3,SOT-23 600¦Ìm*1mm*500¦Ìm
General Purpose Transistors NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=1W X1-DFN1006-3
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, X1-DFN1006 ROHS COMPLIANT: YES
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height500 µm
Length1 mm
Width600 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade