Diodes Inc. FMMT593TA
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Authorized Distributors
6
6
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
TO-236-3
TO-236-3
Polarity
PNP
-
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
-100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
-
hFE Min
50
50
50
Power Dissipation
500 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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onsemiMMBT2907-D87Z
Transistor, bjt, pnp,40V V(Br)Ceo,600Ma I(C),sot-23 Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2907_D87Z
Toshiba2SA1163-GR(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
onsemiMMBTA92LT1
Cut Tape (CT) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 25 @ 1mA 10V 500mA 300mW 50MHz
Descrições
Descrições de Diodes Inc. FMMT593TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Single Bipolar Transistor, PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23 (Type DN), 3 Pins, Surface Mount
100V 500mW 100@500mA,5V 1A PNP SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
FMMT593 Series PNP 1 A 100 V SMT Silicon High Voltage Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors (BJT); FMMT593TA; DIODES; PNP; 3; 100 V; 1 A
Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case
Bipolar Transistor, Pnp, -100V; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:100V; Frecuencia De Transición Ft:150Mhz; Disipación De Potencia Pd:500Mw; Corriente De Colector Dc:-1A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:100 |Diodes Inc. FMMT593TA
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-100 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current-1 A
Current1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade