Diodes Inc. FMMT494TA
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
120 V
120 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
hFE Min
20
20
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Diodes Inc. FMMT494TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
FMMT494 Series NPN 1 A 120 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 120V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
300mV@ 50mA,500mA NPN 500mW 7V 100nA 140V 120V 1A SOT-23-3 1.12mm
TRANSISTOR, NPN, 120V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor C
TRANSISTOR, NPN, 120V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V; Typ Gain Bandwidth ft:100MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; Case Style:SOT-23; Current Ib:0.2A; Current Ic hFE:1A; Max Current Ic:1A; Max Current Ic Continuous a:500mA; Max Power Dissipation Ptot:0.5W; Max Voltage Vce Sat:0.3V; Min Hfe:20; Power Dissipation:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:140V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade